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倒計時15天!第七屆國際碳材料大會-碳化硅半導(dǎo)體論壇,11月1-2日,我們上海見!

时间:2023-10-16     【转载】   来自:面包芯語


大會背景



半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是支撐國民經(jīng)濟發(fā)展和保障國家信息安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心。碳化硅半導(dǎo)體作為近年來迅速發(fā)展起來的新型半導(dǎo)體材料,憑借其超越硅的優(yōu)異性能,引起了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。其在新能源汽車、光伏、儲能、軌道交通等前沿科技領(lǐng)域的應(yīng)用,不僅開啟了新的技術(shù)疆界,更是掀起了一場產(chǎn)業(yè)變革的浪潮。

然而,面對如此廣闊的市場前景,碳化硅半導(dǎo)體的市場化進程卻面臨著一大挑戰(zhàn)——良率問題。從晶體、襯底及外延的生長,到器件制備和封裝,良率不足已經(jīng)成為制約碳化硅半導(dǎo)體市場化應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。



面對這一挑戰(zhàn),Carbontech 2023碳化硅半導(dǎo)體論壇將匯集全球范圍內(nèi)的頂尖專家、學(xué)者以及行業(yè)巨頭,聚焦碳化硅產(chǎn)業(yè)良率低下、設(shè)備國產(chǎn)化不足、協(xié)同能力差等痛點,共同探討并研究解決方案,通過實現(xiàn)參會各方實質(zhì)性的互聯(lián)互通,加快推進碳化硅半導(dǎo)體的市場化應(yīng)用進程!

活動組織



論壇規(guī)模:200人
論壇時間:2023年11月1日-11月3日
主辦單位:DT新材料
承辦單位:寧波德泰中研信息科技有限公司
支持單位:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、United Scientific Group
支持媒體:Carbontech、DT半導(dǎo)體、DT新材料、材視科技、碳化硅半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、芯師爺、清新電源、大半導(dǎo)體、光伏見聞、半導(dǎo)體信息……

報告嘉賓 


    


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高遠(yuǎn)  泰科天潤半導(dǎo)體(北京)科技有限公司

應(yīng)用測試中心總監(jiān)


演講題目:碳化硅功率器件測試:從研發(fā)到量產(chǎn)、從晶圓到應(yīng)用

高遠(yuǎn)先生現(xiàn)任中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子專業(yè)委員會委員及青年工程師工作組委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)導(dǎo)師、泰克科技電源功率器件領(lǐng)域外部專家。




主要從事功率半導(dǎo)體器件的特性測試、評估及應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)研究工作,致力于推進功率半導(dǎo)體器件教育在高等學(xué)校普及和推廣先進功率器件在工業(yè)界應(yīng)用。發(fā)表學(xué)術(shù)論文8篇,授權(quán)專利4項,出版專著《碳化硅功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)》,收錄于機械工業(yè)出版社“電力電子新技術(shù)系列圖書”和“半導(dǎo)體與集成電路關(guān)鍵技術(shù)叢書”,并列入“十四五”國家重點出版物。







鞏小亮,中國電科第48研究所  半導(dǎo)體裝備研究部主任

鞏博士,任中國電子科技集團公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任,電科裝備高級技術(shù)專家,長期從事第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)化,重點致力于外延生長設(shè)備技術(shù)研究,主持國家重點研發(fā)計劃、湖南省十大技術(shù)攻關(guān)等重大項目10余項,發(fā)表論文10余篇,授權(quán)發(fā)明專利6項,牽頭制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項,獲國資委重大工程突出貢獻個人、湖南省科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年、中國電科科學(xué)技術(shù)獎一等獎、中國電科“十大青年拔尖人才”等榮譽。






雷光寅  復(fù)旦大學(xué) 研究員
復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長
清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司首席科學(xué)家
演講題目:碳化硅功率器件現(xiàn)狀及小型化發(fā)展趨勢
雷光寅博士,在2010年至2018年于美國福特汽車公司任研發(fā)工程師,負(fù)責(zé)混動汽車電機控制器硬件開發(fā);2018年至2020年于上海蔚來汽車有限公司任電動力工程技術(shù)專家,負(fù)責(zé)基于碳化硅功率半導(dǎo)體的新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)前瞻項目。長期從事功率半導(dǎo)體模塊封裝及新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā),研究領(lǐng)域集中在新型封裝材料開發(fā);功率模塊封裝設(shè)計、工藝開發(fā)、可靠性及失效分析;混動及純電驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā)等。

發(fā)表高水平學(xué)術(shù)期刊論文30余篇,其中高引數(shù)量17篇;作為第一或合作發(fā)明人,至今共取得超過40項美國及中國發(fā)明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎之稱的美國科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新獎(R&D 100,2007年度)和2021年中國國際高新技術(shù)成果交易會優(yōu)秀產(chǎn)品獎等獎項。







李金喜,廈門云天半導(dǎo)體 市場總監(jiān)

演講題目:從先進封裝到先進微系統(tǒng)集成
2006年畢業(yè)于華中科技大學(xué)電子系,先后在華潤上華、昆山華天從事客戶技術(shù)支持以及市場營銷類工作。在半導(dǎo)體行業(yè)有著十余年的工作經(jīng)驗,對晶圓制造、封測以及模組產(chǎn)業(yè)有較為清晰的認(rèn)知。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游角度來看,隨著摩爾定律趨緩,先進封裝扮演了越來越重要的角色,未來發(fā)展?jié)摿薮。基于此?018年跟隨于大全博士創(chuàng)立廈門云天半導(dǎo)體,目前主要負(fù)責(zé)云天的市場工作。






馬彪  上海瀾芯半導(dǎo)體 創(chuàng)始人兼總經(jīng)理

演講題目:SiC MOSFET設(shè)計的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)
馬彪先生畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué),微電子碩士。擁有16年的功率半導(dǎo)體器件開發(fā)經(jīng)驗,同時也是華虹宏力半導(dǎo)體02專項1700V-6500超高壓1GBT及FRD產(chǎn)品和工藝平開發(fā)項目"工藝開發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人、積塔半導(dǎo)體臨港廠MOSFET產(chǎn)品通線負(fù)責(zé)人、聯(lián)合汽車電子功率芯片負(fù)責(zé)人。

上海瀾芯半導(dǎo)體在馬彪先生的帶領(lǐng)下,運作不滿1年,瀾芯半導(dǎo)體1200V 80/60/40/30毫歐已經(jīng)全部可送樣,且80毫歐產(chǎn)品已經(jīng)通過可靠性驗證。






梅云輝  天津工業(yè)大學(xué) 教授 博導(dǎo)
電氣工程學(xué)院 常務(wù)副院長

演講題目:實現(xiàn)碳化硅器件直接水冷散熱的大尺寸低溫低壓直連技術(shù)探索
梅云輝教授長期從事電力電子器件封裝與可靠性研究,近年主持國家“優(yōu)青”,天津市“杰青”,國家基金項目、國防預(yù)研項目、“慧眼行動”項目、航空基金、華為、蔚來汽車、匯川技術(shù)等企業(yè)合作項目逾30項,參與國家基金重點項目、863項目等。擔(dān)任中國電源學(xué)會理事、元器件專委會副主任、專家咨詢委員會副主任、IEEE Senior Member、《電源學(xué)報》編委、天津市電源學(xué)會副理事長等。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文140余篇,其中SCI論文收錄100篇,授權(quán)發(fā)明專利27件,曾獲IEEE CPMT Young Award(電子封裝學(xué)會優(yōu)秀青年獎)、中國電源學(xué)會技術(shù)發(fā)明獎一等獎(第一完成人)、中國電工技術(shù)學(xué)會技術(shù)發(fā)明獎一等獎(第一完成人)、天津市技術(shù)發(fā)明獎一等獎(第二完成人)、教育部霍英東教育基金高等院校青年科技獎、電工技術(shù)—正泰科技獎、IEEE國際電力電子年會APEC Best Presentation Award、IEEE ICEPT Outstanding Paper Award、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)“特別貢獻獎”等。







宋慶文  西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院  副院長

宋慶文,山東臨沂人,博士, 教授/博士生導(dǎo)師, 國家重點研發(fā)計劃青年項目首席,華山學(xué)者領(lǐng)軍教授,省級創(chuàng)新團隊負(fù)責(zé)人。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件和電路(功率芯片)物理模型、材料生長、關(guān)鍵工藝及可靠性的研究和人才培養(yǎng),在SiC功率器件和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計和可靠性等方面取得了一些創(chuàng)新性成果,在國際上首次成功研發(fā)出皮秒級SiC基DAS器件;成功開發(fā)了SiC高壓器件輻照加固技術(shù);發(fā)明了多種高可靠性新型的4H-SiC基功率MOSFETs;突破了高穩(wěn)定SiC金半接觸工藝,實現(xiàn)了國際上首只600℃SiC基紫外探測器;實現(xiàn)600V~10kV/2A~200A SiC SBD、PiN、MOSFET、IGBT等器件的研制和產(chǎn)品開發(fā);近年來主持或參與包括國家重點研發(fā)計劃,國家自然科學(xué)、陜西省重點研發(fā)計劃等二十余項,近年來在IEEE EDL, IEEE Trans. ED、IEEE TPEL等期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇,獲國家授權(quán)專利50余項。







王德君  大連理工大學(xué) 教授 博導(dǎo)

王德君,電子信息與電氣工程學(xué)部控制科學(xué)與工程學(xué)院教授,博士生導(dǎo)師。

吉林大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)本科、碩士,清華大學(xué)材料學(xué)博士,先后服務(wù)于北京大學(xué)、名古屋大學(xué)和奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)。近年來指導(dǎo)研究生解決核心關(guān)鍵技術(shù)及理論問題多項,在國際頂級學(xué)術(shù)期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇,培養(yǎng)的研究生多次獲得博士生優(yōu)秀論文單項獎學(xué)金和國家優(yōu)秀學(xué)生獎學(xué)金,深受業(yè)界歡迎。

王德君教授在SiC器件領(lǐng)域深耕二十余年,帶領(lǐng)團隊率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數(shù)分離難題,形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術(shù)成套解決方案,目前已自研多臺套科研型設(shè)備,為服務(wù)器件制造產(chǎn)業(yè)提供了強有力的支撐。






王蓉  浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心  研究員
浙大杭州科創(chuàng)中心求是科創(chuàng)學(xué)者計劃、青年人才卓越計劃入選者

演講題目:碳化硅單晶生長與襯底加工技術(shù)進展
王蓉博士致力于半導(dǎo)體碳化硅材料的摻雜和缺陷物理研究,圍繞碳化硅單晶生長、襯底晶圓加工和同質(zhì)外延過程中的缺陷物理開展了系列理論與實驗研究。針對寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理在PR Applied、APL等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表了60余篇SCI論文,并擔(dān)任多項國際知名期刊的審稿人。擁有21項授權(quán)的國家發(fā)明專利和2項美國專利,其中5項專利已完成轉(zhuǎn)讓,產(chǎn)值超過3千萬元。






王錚  北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
襯底材料行業(yè)總經(jīng)理

演講題目:堅定不移,以裝備創(chuàng)新推動碳化硅產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展
王錚先生從事半導(dǎo)體行業(yè)近20年,涉足集成電路、功率半導(dǎo)體、MEMS、LED以及襯底材料等多個先進領(lǐng)域。目前在北方華創(chuàng)負(fù)責(zé)半導(dǎo)體襯底材料行業(yè),是國內(nèi)最早一批研究寬禁帶半導(dǎo)體材料裝備及工藝方案的資深專家。






楊霏  國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所

副總工程師兼工藝開發(fā)室主任

楊霏,博士,高級工程師(教授級),國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開發(fā)室主任,中關(guān)村高端領(lǐng)軍人才。專注于碳化硅外延材料及高壓電力電子器件研究,組建了包括外延材料、器件設(shè)計、器件工藝與測試的碳化硅高壓器件研發(fā)團隊,承擔(dān)國家863項目1項,國家重點研發(fā)計劃項目2項,北京市科委項目2項,國家電網(wǎng)公司科技項目8項,研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二極管及3300V/600A混合模塊,研制了1200V/20A碳化硅MOSFET并在30kW光伏逆變器中示范應(yīng)用。目前正在研制35kV/5MW柔性變電站電力電子變壓器示范工程應(yīng)用的6.5kV碳化硅二極管與MOSFET,以及用于24kV換流閥功率單元的18kV碳化硅IGBT。主導(dǎo)制定團體標(biāo)準(zhǔn)2項,主持建立了全工藝的10kV高壓碳化硅器件中試線,授權(quán)發(fā)明專利16項,譯著2部。







尹志鵬,河北普興電子科技股份有限公司 產(chǎn)品總監(jiān)


演講題目:碳化硅外延技術(shù)及發(fā)展趨勢

尹志鵬,大連理工大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士,現(xiàn)任河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān),從事碳化硅同質(zhì)外延相關(guān)工作及產(chǎn)品開發(fā)。


河北普興電子科技股份有限公司是中電科半導(dǎo)體材料有限公司控股的股份制公司,成立于2000年11月,是國家認(rèn)定的高新技術(shù)和集成電路生產(chǎn)企業(yè),致力于高性能半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)。公司已通過ISO9001、TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證,ISO14001、ISO45001環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證。主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵和碳化硅外延片。客戶遍布中國大陸、港臺地區(qū),以及美國、日本、韓國、俄羅斯、印度等國際市場,在國內(nèi)外市場享有較高的聲譽。







張勝濤,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院 技術(shù)總監(jiān)

演講題目:科友8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化發(fā)展
哈爾濱工業(yè)大學(xué)博士、助理教授,化學(xué)工程與技術(shù)學(xué)科,新能源材料與器件方向,2021年獲黑龍江省科學(xué)技術(shù)進步一等獎,2022年入選哈爾濱市科技創(chuàng)新人才。2018年4月-至今,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司研發(fā)部總監(jiān),負(fù)責(zé)碳化硅晶體生長與缺陷控制研究。張勝濤博士長期致力于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅裝備開發(fā)、熱場仿真設(shè)計及單晶缺陷控制研究,推動大尺寸國產(chǎn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化工作,主持或參與國家重點研發(fā)計劃、省重大科技成果轉(zhuǎn)化項目、省自然科學(xué)基金、省頭雁團隊項目、市重大科技專項等國家省市重點項目多項。在研發(fā)過程中取得了一系列原創(chuàng)成果,目前已發(fā)表半導(dǎo)體領(lǐng)域高水平論文8篇,其中SCI索引期刊6篇,授權(quán)專利10余項,參編國家標(biāo)準(zhǔn)1項,企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)多項。






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